射频微波瓷介电容器专业制造商 高 Q 值 · 低 ESR/ESL · 高可靠性

高功率射频电容系列

关键参数 (封装:SMD 2225)

容量范围1 – 2000 pF
额定电压500 – 3000 V
典型 Q 值> 1500 @ 1 MHz

产品特点

  • 高 Q 值,介质损耗低
  • 低 ESR / ESL,自谐振频率高
  • 批次一致性好,可靠性高
  • 支持样品与小批量试产

典型参数(示例,请按实际规格修改)

容量范围 1 pF – 2000 pF
额定电压 500 – 3000 V
温度特性 NP0 / C0G
工作温度 -55 ℃ ~ +150 ℃
典型 Q 值 > 1500 @ 1 MHz

如需完整规格书或选型支持,请联系我们。