射频微波瓷介电容器专业制造商 高 Q 值 · 低 ESR/ESL · 高可靠性

高 Q 值射频电容系列

关键参数 (封装:SMD 1111)

容量范围0.1 – 1000 pF
额定电压50 – 500 V
典型 Q 值> 2000 @ 1 MHz

产品特点

  • 高 Q 值,介质损耗低
  • 低 ESR / ESL,自谐振频率高
  • 批次一致性好,可靠性高
  • 支持样品与小批量试产

典型参数(示例,请按实际规格修改)

容量范围 0.1 pF – 1000 pF
额定电压 50 – 500 V
温度特性 NP0 / C0G
工作温度 -55 ℃ ~ +125 ℃
典型 Q 值 > 2000 @ 1 MHz

如需完整规格书或选型支持,请联系我们。